Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

TN3019A

TRANS NPN 80V 1A TO-226

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
TN3019A

TN3019A Hakkında

TN3019A, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistördür (BJT). TO-226 (TO-92) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile çalışabilir. 100 MHz transition frequency'si ile orta frekanslı uygulamalarda kullanıma uygundur. Maksimum 1W güç tüketimi ile entegre edilebildiği bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Harita uygulamaları, sinyal değiştirme devreleri, gerilim amplifikasyonu ve transistör anahtarlama uygulamalarında tercih edilebilir. DC akım kazancı (hFE) 150mA collector akımında 10V Vce'de minimum 100 değerine sahiptir. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-226-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok