Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
TN3019A_J05Z
TRANS NPN 80V 1A TO-226
TN3019A_J05Z Hakkında
TN3019A_J05Z, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 (TO-92-3) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 1A kolektör akımı ve 80V koletör-emitör kırılma voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve 100 (minimum) DC akım kazancı ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde yer alabilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlar için uygundur. Maksimum 1W güç tüketimi ile enerji tasarrufu sağlayan tasarımlarda tercih edilebilir. Kullanım alanları: genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama, voltaj amplifikasyonu ve düşük frekanslı sinyal işleme devrelerini kapsamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok