Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

TN2907A

TRANS PNP 60V 800MA TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
TN2907A

TN2907A Hakkında

TN2907A, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-226-3 (TO-92) paketinde sunulmaktadır. 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 800mA maksimum collector akımı ile tasarlanan bu bileşen, 625mW güç kayıplarına dayanıklıdır. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen TN2907A, minimum 100 hFE DC akım kazancı sunar ve 1.6V satürasyon gerilimi ile karakterizedir. Through-hole montaj tipine sahip olan bu transistör, ses amplifikatörleri, genel amaçlı anahtarlama uygulamaları ve düşük-orta güç seviyesi devrelerinde kullanıldığı endüstride yaygındır. Bileşen güncel üretimde bulunmamakta, replacement parça olarak temin edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-226-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok