Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
TMBT3906,LM
TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- TMBT3906
TMBT3906,LM Hakkında
TMBT3906,LM, Toshiba tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum Vce ile 150mA kolektör akımına kadar çalışabilir. 250MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalara uygundur. DC current gain (hFE) minimum 100 değeridir. Maksimum 320mW güç dağıtabilir ve 150°C çalışma sıcaklığına dayanır. Vce saturation voltajı 400mV olup anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Küçük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı PNP transistör uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 320 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok