Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

TMBT3904,LM

TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
TMBT3904

TMBT3904,LM Hakkında

TMBT3904,LM, Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 150mA maksimum collector akımı ile çalışır. 300MHz transition frequency değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 320mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunan bileşen, düşük sinyal amplifikasyonu, ses ve RF uygulamaları başta olmak üzere güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (150°C'ye kadar) stabil performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 150 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 320 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok