Transistörler - FET, MOSFET - RF

TM-10

TM-10 - 10W BROADBAND RF POWER G

Paket/Kılıf
SOT-1227B
Seri / Aile Numarası
TM-10

TM-10 Hakkında

TM-10, Rochester Electronics tarafından üretilen 10W broadband RF power transistördür. GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) teknolojisine dayanan bu bileşen, RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-1227B paket standardında sunulan transistör, geniş bant frekans aralığında çalışacak şekilde tasarlanmıştır. Harita kodu ve uygulamalar açısından mobil iletişim sistemleri, radyo frekans amplifikatörleri ve benzer RF güç amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. Ürün şu anda EOL (End of Life) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Package / Case SOT-1227B
Part Status Obsolete
Power - Output 10W
Supplier Device Package SOT1227B
Transistor Type GaN HEMT

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok