Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

TDTC114E,LM

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
TDTC114E

TDTC114E,LM Hakkında

TDTC114E,LM, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 50V kollektör-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kollektör akımı ile çalışır. İçerisinde entegre 10kΩ base ve emitter-base direnç ağları bulunduğundan, sürücü uygulamalarında ek direnç gerektirmez. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 320mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü lojik seviyeleri amplifikasyonu, sinyal kontrol ve relé/motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Küçük boyutlu paket sayesinde kompakt elektronik tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 320 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok