Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

TC6320TG-G

MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
TC6320

TC6320TG-G Hakkında

TC6320TG-G, Microchip Technology tarafından üretilen dual MOSFET (N-Channel ve P-Channel) entegre devresidir. 200V drain-source gerilim kapasitesine sahip bu bileşen, 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulmaktadır. 7Ω maksimum RDS(on) değeri ile 1A akım kapasitesinde çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında sıcaklık aralığında işletim yapabilen bu komponent, güç anahtarlama uygulamaları, sürücü devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Düşük kapı kapasite değeri (110pF @ 25V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok