Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

TC6320K6-G

MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN

Paket/Kılıf
8-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
TC6320K6

TC6320K6-G Hakkında

TC6320K6-G, Microchip Technology tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-channel ve P-channel MOSFET'lerin tek bir pakette kombinasyonunu sunan bu bileşen, 200V drain-source gerilim desteği ile yüksek gerilim uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 8-VDFN (4x4mm) yüzey montaj paketinde sunulan TC6320K6-G, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 7Ω RDS(on) değeri ile 1A akımda etkili iletkenlik sağlar. Vgs eşik gerilimi 2V @ 1mA'dir. Düşük giriş kapasitanslı tasarımı (110pF @ 25V) anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol ve aydınlatma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (4x4)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok