Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

TC2320TG-G

MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
TC2320

TC2320TG-G Hakkında

TC2320TG-G, Microchip Technology tarafından üretilen dual N-Channel ve P-Channel MOSFET dizisidir. 200V Drain to Source gerilim dayanımına sahip bu bileşen, 8-pin SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 7Ω (1A, 10V koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve 2V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve H-köprü konfigürasyonlarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok