Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
TBC857B,LM
X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- TBC857B
TBC857B,LM Hakkında
TBC857B,LM, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 150mA collector akımı, 210 minimum DC current gain (hFE), 80MHz transition frequency ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 320mW güç derecelendirmesi ile düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve genel amaçlı transistor uygulamalarında kullanılan bir komponenttir. Surface mount teknolojisi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 30nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 320 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 100mA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok