Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

TB100EP

TB100/TO-92/STANDARD MARKING *

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
TB100

TB100EP Hakkında

TB100EP, WeEn Semiconductors tarafından üretilen NPN tip bipolar transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu komponent, 1A maksimum collector akımı ve 700V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç yeteneğine sahip olan transistör, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığını destekler. DC akım kazancı (hFE) 100mA collector akımında minimum 14 değerindedir. Through-hole montaj türü ile PCB'ye doğrudan lehimlenmesi yapılabilir. Anahtarlama devreleri, sürücü uygulamaları ve dar bant sinyal işleme gibi elektronik sistemlerde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 14 @ 100mA, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 2 W
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 150mA, 750mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok