Transistörler - FET, MOSFET - RF
TA9410E
PA RF GAN PWR 25W .03-4GHZ 50V
- Üretici
- Tagore Technology
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- TA9410E
TA9410E Hakkında
TA9410E, Tagore Technology tarafından üretilen GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) tabanlı RF güç transistörüdür. 25W çıkış gücü ile 0.03 GHz ile 4 GHz arasında çalışabilen bu bileşen, 50V dereceli çalışma voltajında tasarlanmıştır. 30A akım kapasitesi ve 17dB kazanç değeri ile RF uygulamalarında kullanılır. 8-VDFN (8-pin Very Thin Dual Flat No-Lead) paketinde sunulan TA9410E, hücresel haberleşme, radar, broadcasting ve endüstriyel RF sistemlerinde RF güç amplifikasyon uygulamalarında tercih edilen bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current Rating (Amps) | 30A |
| Frequency | 20MHz ~ 3GHz |
| Gain | 17dB |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 25W |
| Supplier Device Package | 8-QFN (5x6) |
| Transistor Type | GaN HEMT |
| Voltage - Rated | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok