Transistörler - FET, MOSFET - RF
TA9310E
PA RF GAN PWR 20W .03-4GHZ 32V
- Üretici
- Tagore Technology
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- TA9310E
TA9310E Hakkında
TA9310E, Tagore Technology tarafından üretilen GaN HEMT tabanlı RF güç transistörüdür. 20W çıkış gücü ile tasarlanan bu bileşen, 30MHz ile 4GHz arasında frekans aralığında çalışır ve 17.5dB kazanç sağlar. 32V test voltajında 100mA test akımı ile karakterize edilmiştir. Maksimum 120V rated voltajda kullanılabilir. 8-VDFN Exposed Pad (8-QFN 5x6mm) paket türünde sunulmaktadır. Yüksek frekansli güç amplifikasyon uygulamaları, RF sinyal işleme, kablosuz iletişim sistemleri ve radar uygulamalarında kullanılan bu transistör aktif statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 30MHz ~ 4GHz |
| Gain | 17.5dB |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 20W |
| Supplier Device Package | 8-QFN (5x6) |
| Transistor Type | GaN HEMT |
| Voltage - Rated | 120 V |
| Voltage - Test | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok