Transistörler - FET, MOSFET - RF
TA9210D
PA RF GAN PWR 12.5W .03-4GHZ 32V
- Üretici
- Tagore Technology
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- TA9210D
TA9210D Hakkında
TA9210D, Tagore Technology tarafından üretilen GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) tabanlı RF güç amplifikatörü transistörüdür. 0.03GHz ile 4GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 12.5W çıkış gücü sunmaktadır. 18dB kazanç ve 120V nominal gerilim rating'i ile karakterize edilmektedir. Test koşullarında 32V ve 50mA'de değerlendirilmekte, maksimum akım kapasitesi 700mA'dir. Bu transistör, spektrum yönetimi, haberleşme sistemleri, radyo frekans amplifikasyon uygulamaları ve mobil iletişim altyapısında RF sinyal güçlendirme amacıyla kullanılır. GaN teknolojisi sayesinde yüksek verimlilik ve kompakt tasarım özelliği sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 50 mA |
| Current Rating (Amps) | 700mA |
| Frequency | 30MHz ~ 4GHz |
| Gain | 18dB |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 12.5W |
| Transistor Type | GaN HEMT |
| Voltage - Rated | 120 V |
| Voltage - Test | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok