Transistörler - FET, MOSFET - RF

TA9110K

PA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32V

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
TA9110K

TA9110K Hakkında

TA9110K, Tagore Technology tarafından üretilen GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) tabanlı RF güç transistörüdür. 30MHz ile 4GHz frekans aralığında çalışan bu komponent, 6W çıkış gücü sağlayarak PA (Power Amplifier) uygulamalarında kullanılır. 32V test voltajında 40mA test akımı ile karakterize edilen TS9110K, 120V rated voltaj kapasitesine sahiptir. 17dB kazanç değeri ile yüksek frekanslı RF uygulamalarında, mobil haberleşme sistemlerinde, radar sistemlerinde ve satellit iletişim cihazlarında yer alır. Kompakt tasarımı ve yüksek verimlilik özellikleri ile enerji verimliliği önemli olan endüstriyel uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 40 mA
Current Rating (Amps) 500mA
Frequency 30MHz ~ 4GHz
Gain 17dB
Part Status Active
Power - Output 6W
Transistor Type GaN HEMT
Voltage - Rated 120 V
Voltage - Test 32 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok