Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
STTH810G
DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STTH810G
STTH810G Hakkında
STTH810G, STMicroelectronics tarafından üretilen 1000V reverse voltajına dayanıklı, 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip hızlı iyileşme diyotudur. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 85ns reverse recovery time ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 2V forward voltaj düşüşü ve 5µA reverse leakage akımı özellikleriyle yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Endüstriyel kontrol sistemleri, şarj devreleri, AC/DC konverterler ve inversörler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Surface mount montajı sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. Maksimum junction sıcaklığı 175°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok