Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

STS4DNF60

MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
STS4DNF60

STS4DNF60 Hakkında

STS4DNF60, STMicroelectronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 4A maksimum drain akımı ile çalışır. Logic Level gate özelliğine sahip olup, 10V gate geriliminde 90mΩ maksimum RDS(on) değerine ulaşır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç yönetimi ve genel amaçlı dijital kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. Maksimum 2W güç tüketimi ile düşük enerji uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 315pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok