Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

STS4C3F60L

MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
STS4C3F60L

STS4C3F60L Hakkında

STS4C3F60L, STMicroelectronics tarafından üretilen dual MOSFET transistördür. N-channel ve P-channel yapıdaki bu bileşen, bir 8-SOIC pakette entegre edilmiştir. 60V drain-source gerilimi ve 4A/3A sürekli dren akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate yapısı sayesinde düşük gerilimli kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 2W maksimum güç dağıtımı ve 55mOhm on-state direnç değerleri ile verimli anahtar operasyonu sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Endüstriyel kontroller, motor sürücüler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok