Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
STPSC8H065G-TR
DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STPSC8H065G
STPSC8H065G-TR Hakkında
STPSC8H065G-TR, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V 8A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 1.75V forward voltajı ve sıfır reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, güç dönüştürme, yüksek frekans anahtarlama ve doğrultma devrelerinde tercih edilir. Düşük jüksek voltaj yeterliği ve minimal geri akım karakteristikleriyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 414pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 80 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok