Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
STPSC806G-TR
DIODE SCHOTTKY 600V 8A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STPSC806G
STPSC806G-TR Hakkında
STPSC806G-TR, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V 8A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu doğrultucu diyot, 1.7V ileri gerilim düşüşü ve sıfır reverse recovery time özellikleriyle karakterizedir. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, invertörler ve boost konvertörleri gibi yüksek frekanslı güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde düşük kayıplar ve hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 450pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok