Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
STPSC6H12B-TR1
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 6A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STPSC6H12B
STPSC6H12B-TR1 Hakkında
STPSC6H12B-TR1, STMicroelectronics tarafından üretilen 1.2kV/6A kapasitesinde Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı güç elektronik uygulamalarında doğrultma işlemi gerçekleştirir. 1.9V maksimum ileri gerilim düşüşü ve 0ns geri kazanım süresi sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. -40°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, güç kaynakları, inverter devreleri, AC/DC dönüştürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. 330pF kapasitans değeri düşük frekans uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 330pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 400 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok