Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
STPSC4H065DLF
SILICON CARBIDE DIODES
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STPSC4H065
STPSC4H065DLF Hakkında
STPSC4H065DLF, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters gerilim yeteneği ve 4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.55V ileri gerilim düşümü (4A'de) ile verimli çalışma sağlar. Sıfır reverse recovery time karakteristiği sayesinde yüksek frekans anahtarlamalı güç kaynakları, invertörler, PFC devreleri ve şarj cihazlarında tercih edilir. Surface mount PowerFlat (8x8) paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 245pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok