Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
STPSC2H065B-TR
650 V, 2 A HIGH SURGE SILICON CA
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STPSC2H065B
STPSC2H065B-TR Hakkında
STPSC2H065B-TR, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V/2A Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj doğrultma uygulamalarında kullanılır. 1.55V forward voltage ile düşük enerji kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, recovery time gerektirmeden hızlı anahtarlama yapabilir. Güç kaynakları, invertörler, PFC (Power Factor Correction) devreleri ve endüstriyel anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. SMD montaj tipi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 135pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok