Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

STPSC15H12G2-TR

1200V, 15A, SILICON CARBIDE POWE

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STPSC15H12G2

STPSC15H12G2-TR Hakkında

STPSC15H12G2-TR, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V 15A Silicon Carbide (SiC) Schottky doğrultucu diyottur. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında hızlı anahtarlama ve düşük ileri gerilim düşüşü sağlar. 0 ns reverse recovery time ile tercih edilmesi gereken kayıpsız anahtarlamaya ihtiyaç duyulan güç kaynakları, invertörler, AC/DC dönüştürücüler ve indüstri uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu diyot, 1.5V @ 5A ileri gerilim ve 90 µA @ 1200V ters akım özelliklerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 1.2nF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 15A
Current - Reverse Leakage @ Vr 90 µA @ 1200 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 175°C
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package D2PAK HV
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 5 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok