Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

STPSC12065G-TR

SILICON CARBIDE DIODES

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STPSC12065G

STPSC12065G-TR Hakkında

STPSC12065G-TR, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj dayanımı ve 12A ortalama doğrultma akımı ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulur. Sıfır ters kurtarma zamanına (trr = 0 ns) sahip olup, 500mA üzerindeki akımlarda enerji kaybını minimize eder. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. 12A akımda maksimum 1.45V iletim gerilimi ile karakterizedir. Yüksek güç dönüştürücüleri, şarj cihazları, endüstriyel uygulamalar ve solar inverter gibi alanlarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 12A
Current - Reverse Leakage @ Vr 150 µA @ 650 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 175°C
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package D²PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.45 V @ 12 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok