Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
STPSC10H12G2-TR
1200V, 10A, SILICON CARBIDE POWE
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STPSC10H12G2
STPSC10H12G2-TR Hakkında
STPSC10H12G2-TR, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V/10A Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi gerçekleştirir. 0 ns reverse recovery time özelliğiyle anahtarlama kaybını minimize eder. 1.5V forward voltage ile enerji verimliliği sağlar. Endüstriyel power conversion, fotovoltaik sistemler, UPS ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışır ve yüzey montajı uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 725pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D2PAK HV |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok