Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
STPSC10H12G-TR
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STPSC10H12G
STPSC10H12G-TR Hakkında
STPSC10H12G-TR, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V/10A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. D2PAK (TO-263-3) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 1.5V düşük forward voltajı ve sıfır reverse recovery time ile karakterizedir. -40°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bu diyot, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında, enerji dönüşüm devrelerinde, güç kaynakları ve invertörlerde kullanılır. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde daha düşük ısı kaybı ve yüksek verimlilik sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 725pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok