Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
STPSC10H12B2-TR
1200V, 10A, SILICON CARBIDE POWE
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STPSC10H12B2
STPSC10H12B2-TR Hakkında
STPSC10H12B2-TR, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V, 10A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky güç diyotudur. TO-252-3 (DPak) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 1.5V maksimum forward voltaj ve 60µA ters kaçak akımı özellikleri ile verimli güç dönüştürme sağlar. Recovery time sıfır olması (0ns) hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygunluğunu gösterir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, şarj kontrolörleri, invertörler, PFC devreleri ve yüksek frekanslı anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 725pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK HV |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok