Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
STPSC10H12B-TR1
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STPSC10H12B
STPSC10H12B-TR1 Hakkında
STPSC10H12B-TR1, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V kapasitesine sahip Silicon Carbide Schottky diyottur. 10A ortalama doğrultma akımı ile tasarlanan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Reverse recovery time'ı 0 ns olup, güç kaynakları, güç faktörü düzeltme (PFC) devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve inverter uygulamalarında tercih edilir. DPAK (TO-252-3) yüzey montajlı pakette sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışır. Forward voltajı 10A'da maksimum 1.5V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 725pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok