Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
STPSC10H065B-TR
DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STPSC10H065B
STPSC10H065B-TR Hakkında
STPSC10H065B-TR, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V 10A kapasitesinde Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 1.75V ileri gerilim düşüşü ile düşük kayıp özellikleri ve sıfır reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma jüksek sıcaklığı desteklemektedir. Endüstriyel konverterler, güç kaynakları ve yenilenebilir enerji uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 480pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok