Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
STPSC1006G-TR
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STPSC1006G
STPSC1006G-TR Hakkında
STPSC1006G-TR, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V 10A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. Surface mount D²PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.7V maksimum forward voltajı ile düşük güç kaybı sağlar. 0ns recovery time ile hızlı komütasyon özelliği vardır. Güç kaynakları, inverterler, motor kontrolörleri ve enerji dönüşüm devrelerinde uygulanmaktadır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Reverse leakage akımı 600V'da 150µA olup, DC reverse voltajı maksimum 600V'dur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 650pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 150 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok