Transistörler - IGBT - Tekil
STGYA120M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGYA120M65
STGYA120M65DF2 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGYA120M65DF2, Trench Gate Field-Stop teknolojisine dayalı NPT tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paket içinde sunulan bu bileşen, maksimum 650V kolektör-emiter gerilimi ve 160A sürekli kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 625W maksimum güç kapasitesi ve 1.95V işletme gerilimi ile endüstriyel sürücüler, enerji dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve kaynak cihazları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilme kabiliyeti geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 160 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 360 A |
| Gate Charge | 420 nC |
| IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 202 ns |
| Supplier Device Package | MAX247™ |
| Switching Energy | 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 66ns/185ns |
| Test Condition | 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 120A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok