Transistörler - IGBT - Tekil
STGY80H65DFB
IGBT 650V 120A 469W MAX247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGY80H65DFB
STGY80H65DFB Hakkında
STGY80H65DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 120A sürekli collector akımı ve 240A darbe akımı kapasitesine sahip olup, maksimum 469W güç dissipasyonu sağlayabilir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2V VCE(on) düşüşü ile verimli çalışır. -55°C ile +175°C arasında işletilen cihazlarda kullanılabilir. Hızlı anahtarlama özelliği sayesinde (84ns açılma, 280ns kapanma süresi) endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, invertörler ve motor kontrolü sistemlerinde tercih edilir. 414nC gate charge değeri kontrolci entegreler tarafından kolayca yönetilebilirliğini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Gate Charge | 414 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 469 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Supplier Device Package | MAX247™ |
| Switching Energy | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 84ns/280ns |
| Test Condition | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok