Transistörler - IGBT - Tekil
STGWT80H65DFB
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGWT80H65DFB
STGWT80H65DFB Hakkında
STGWT80H65DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 120A sürekli kollektor akımı ve 469W maksimum güç yönetebilme kapasitesine sahiptir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç uygulamalarında, motorlu sürücülerde, invertörlerde ve anahtarlama power supply devrelerinde kullanılır. 84ns açılış ve 280ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 2V tipik Vce(on) değeri ile düşük konuksiyon kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Gate Charge | 414 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 469 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 84ns/280ns |
| Test Condition | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok