Transistörler - IGBT - Tekil

STGWT60H65DFB

IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
STGWT60H65DFB

STGWT60H65DFB Hakkında

STGWT60H65DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. 80A nominal collector akımı ve 375W maksimum güç yeteneği ile tasarlanmıştır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, 240A pulse akımına kadar taşıyabilir ve 60ns reverse recovery time sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Gate charge değeri 306nC olup, switching energy değerleri on için 1.09mJ, off için 626µJ'dir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Vce(on) maksimum değeri 15V gate voltajında 60A akımda 2V'dur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 240 A
Gate Charge 306 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power - Max 375 W
Reverse Recovery Time (trr) 60 ns
Supplier Device Package TO-3P
Switching Energy 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 51ns/160ns
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok