Transistörler - IGBT - Tekil
STGWT40H65DFB
IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGWT40H65DFB
STGWT40H65DFB Hakkında
STGWT40H65DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V/80A kapasiteli Trench Field Stop teknolojili IGBT transistördür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 283W güç yönetimi kapabiliyetine sahiptir. 40ns açılış ve 142ns kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Gate charge 210nC ve reverse recovery time 62ns değerleri ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. İleri beslemeli çevirici (forward converter), DC-DC dönüştürücüler, UPS sistemleri, endüstriyel motor kontrol uygulamaları ve ağır akım yönetim devrelerinde kullanılır. Vce(on) 2V @ 15V/40A ile düşük iletim kaybı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 210 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 283 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 62 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 498µJ (on), 363µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/142ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok