Transistörler - IGBT - Tekil

STGWT30H65FB

IGBT 650V 30A 260W TO3PL

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
STGWT30H65FB

STGWT30H65FB Hakkında

STGWT30H65FB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 30A sürekli ve 120A darbe collector akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 260W maksimum güç dağıtımında çalışabilir. TO-3P-3 paketinde sunulan transistör, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Hızlı anahtarlama özelliği (37ns açılış, 146ns kapanış) sayesinde inverter, konvertör ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 2V Vce(on) düşük doyum voltajı ile enerji kaybını minimalize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, endüstriyel ve otomotiv alanlarında yaygın olarak kullanılmıştır. (Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A
Gate Charge 149 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power - Max 260 W
Supplier Device Package TO-3P
Switching Energy 151µJ (on), 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 37ns/146ns
Test Condition 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok