Transistörler - IGBT - Tekil
STGWT30H60DFB
IGBT 600V 60A 260W TO3PL
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGWT30H60DFB
STGWT30H60DFB Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGWT30H60DFB, 600V darbeye dayanıklı Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış bir IGBT transistörüdür. 60A sürekli kolektör akımı ve 120A maksimum darbe akımı özelliğine sahiptir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, endüstriyel sürücü devrelerde, güç dönüştürücülerinde ve elektrik motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 260W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 37ns on-time ve 146ns off-time ile hızlı anahtarlama özelliği sayesinde verimli enerji yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 149 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 260 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 53 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 383µJ (on), 293µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/146ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok