Transistörler - IGBT - Tekil
STGWA80H65DFB
IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGWA80H65DFB
STGWA80H65DFB Hakkında
STGWA80H65DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V/80A kapasiteli Trench Field Stop tipi IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 120A maksimum sürekli ve 240A darbe kollektör akımını işleyebilmektedir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 80A akımda 2V olup, yüksek hızlı anahtarlama özellikleri ile 84ns açılma ve 280ns kapanma zamanlarına sahiptir. 414nC gate yüküne ve 469W maksimum güç dağıtımına sahip olan cihaz, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Düşük ters kurtarma süresi (85ns) ve optimize edilmiş anahtarlama enerjisi ile endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol sürücülerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Gate Charge | 414 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 469 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
| Switching Energy | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 84ns/280ns |
| Test Condition | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok