Transistörler - IGBT - Tekil
STGWA75M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGWA75M65DF2
STGWA75M65DF2 Hakkında
STGWA75M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen Trench Gate Field-Stop teknolojisinde bir IGBT transistördür. TO-247-3 paket türünde sunulan bu bileşen, maksimum 650V kolektor-emitter gerilimi ve 120A (120A DC, 225A pulse) kolektor akımı ile çalışabilir. 2.1V sabit durum voltajı (VCE(on)) ve düşük switching enerjisi özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Reverse recovery time değeri 165ns olarak belirtilmiştir. -55°C ile +175°C arasında güvenli çalışma sağlar ve maksimum 468W güç disipasyonuna olanak tanır. Endüstriyel sürücü uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve enerji dönüştürme devrelerinde tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A |
| Gate Charge | 225 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 468 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 165 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
| Switching Energy | 690µJ (on), 2.54mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 47ns/125ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok