Transistörler - IGBT - Tekil
STGWA75H65DFB2
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGWA75H65DFB2
STGWA75H65DFB2 Hakkında
STGWA75H65DFB2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 115A sürekli akım (Ic) ve 225A darbe akımı (Icm) kapasitesine sahiptir. 2V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Hızlı anahtarlama özellikleri (28ns/100ns turn-on/turn-off süresi) ve 88ns reverse recovery time ile inverter, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde kullanılır. -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığında 357W maksimum güç yönetebilir. 207nC gate charge değeri sürücü tasarımında kolaylık sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 115 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A |
| Gate Charge | 207 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 357 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 88 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
| Switching Energy | 1.428mJ (on), 1.05mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 28ns/100ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok