Transistörler - IGBT - Tekil
STGWA60H65DFB
IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB Hakkında
STGWA60H65DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V, 60A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp ve hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, 375W maksimum güç dağıtabilir ve -55°C ile 175°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. 306nC gate charge ve 66ns/210ns açılış/kapanış gecikme süreleriyle inverter, motor sürücüsü, güç kaynağı ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 60ns ters geri kazanım zamanı ve optimize edilmiş anahtarlama enerjisi sayesinde EMI emisyonlarını azaltır ve verimlilik arttırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Gate Charge | 306 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 375 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 1.59mJ (on), 900µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 66ns/210ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok