Transistörler - IGBT - Tekil

STGWA50M65DF2

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STGWA50M65DF2

STGWA50M65DF2 Hakkında

STGWA50M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80A kollektör akımı ve 150A darbe akımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. 2.1V (Vce(on)) ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 150nC, reverse recovery time 162ns ve hızlı switching karakteristiği (42ns turn-on, 130ns turn-off @ 25°C) ile yüksek hızlı güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. İnverterler, motor kontrolü, kaynak makinaları ve UPS gibi endüstriyel güç dönüştürme devreleri için uygulandığı uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
Gate Charge 150 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 375 W
Reverse Recovery Time (trr) 162 ns
Supplier Device Package TO-247 Long Leads
Switching Energy 880µJ (on), 1.57mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 42ns/130ns
Test Condition 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok