Transistörler - IGBT - Tekil
STGWA50IH65DF
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGWA50IH65DF
STGWA50IH65DF Hakkında
STGWA50IH65DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. 100A (DC) ve 150A (Pulsed) maksimum kolektör akımı ile çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek frekanslı işlemleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 2V maksimum doyum gerilimi (Vce(on)) ve 260ns kapalı durum gecikmesi (Td off) sayesinde verimli enerji dönüştürme sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, 300W maksimum güç kapasitesine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilmesi, geniş endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun hale getirmektedir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverter tasarımları ve UPS sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 158 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 W |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
| Switching Energy | 284µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/260ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 22Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok