Transistörler - IGBT - Tekil
STGWA40H65DFB2
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGWA40H65DFB2
STGWA40H65DFB2 Hakkında
STGWA40H65DFB2, STMicroelectronics tarafından üretilen Trench Gate Field-Stop teknolojisine dayalı bir IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 72A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 153nC gate charge ve düşük switching energy değerleri (765µJ on, 410µJ off) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 2V Vce(on) değeri ısıl kayıpları minimize eder. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrolü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 72 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 153 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 230 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
| Switching Energy | 765µJ (on), 410µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/72ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok