Transistörler - IGBT - Tekil
STGWA25H120DF2
IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGWA25H120DF2
STGWA25H120DF2 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGWA25H120DF2, 1200V/25A kapasiteli bir Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum güç yönetimi 375W'tır. Yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevi gören bu IGBT, 100 nC gate charge ve 29ns/130ns açılma/kapanma zamanlarına sahiptir. Ters iyileştirme süresi 303ns, darbe akımı kapasitesi 100A'ye çıkabilmektedir. Düşük vce(on) değeri (2.6V @ 15V, 25A) ile enerji kaybı minimumda tutulur. -55°C ile 175°C arasında güvenilir şekilde çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol uygulamaları, güç dönüştürücüler ve motor sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 100 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 375 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 303 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 600µJ (on), 700µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 29ns/130ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok