Transistörler - IGBT - Tekil
STGWA20H65DFB2
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2 Hakkında
STGWA20H65DFB2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. 20A nominal kollektör akımı ve 60A pulsed akım kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel inverterler, motor sürücüleri, anahtarlamış güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yer almaktadır. 2.1V düşük VCE(on) değeri ve 56nC gate charge karakteristiği ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, yüksek güç yoğunluğu ve hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 56 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 147 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 215 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
| Switching Energy | 265µJ (on), 214µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/78.8ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok