Transistörler - IGBT - Tekil
STGW8M120DF3
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGW8M120DF
STGW8M120DF3 Hakkında
STGW8M120DF3, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V Trench Gate Field-Stop tipi tekil IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 16A sürekli kolektör akımı ve 32A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 600V çalışma koşullarında 8A akımda 2.3V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Maksimum 167W güç dissipasyonu yapabilen komponent, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır. 103ns geri kazanım süresi ve 390µJ açılış / 370µJ kapanış enerjisi özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Enerji dönüşüm uygulamaları, şarj cihazları, güç kaynakları ve endüstriyel invertör devrelerinde kullanılmaya uyygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 32 A |
| Gate Charge | 32 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 167 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 103 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 390µJ (on), 370µJ (Off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/126ns |
| Test Condition | 600V, 8A, 33Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok