Transistörler - IGBT - Tekil

STGW80V60DF

IGBT 600V 120A 469W TO247

Paket/Kılıf
TO-247
Seri / Aile Numarası
STGW80V60DF

STGW80V60DF Hakkında

STGW80V60DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V/120A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisiyle tasarlanan bu bileşen, 469W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketlemesiyle yapılmış olup, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve dönergeç (inverter) uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 60ns geri kazanım süresi ve düşük iletim kaybı ile hızlı anahtarlama işlemlerine elverişlidir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 15V gate voltajında 2.3V kolektör-emitör doyum voltajı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 120 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 240 A
Gate Charge 448 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3 Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 469 W
Reverse Recovery Time (trr) 60 ns
Supplier Device Package TO-247
Switching Energy 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 60ns/220ns
Test Condition 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok